三星推30nm工艺moviNAND嵌入式闪存  

http://www.mscc.org.cn   2010年2月22日 

三星电子宣布已开始出货32GB moviNAND，这种高密度嵌入式闪存卡采用了先进的30nm工艺，适用于高端手机和其他移动消费电子设备。

32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND闪存芯片和30nm制造工艺，其存储密度是当前40nm 16Gb的两倍。

每一个32GB moviNAND都有三部分组成，其一是八颗30nm 32Gb NAND闪存芯片；其二是一个MMC控制器，符合最新eMMC v4.3规范，支持缩短启动时间的加电启动功能和降低功耗的休眠命令；其三是一个固件，能够改善处理、存储大容量数据时的性能。

除了32GB，三星30nm moviNAND闪存卡还有16GB、8GB和4GB三种容量。